Транзистор 2Т704А

Цена: *
В наличии: 3.00  шт

Заказать

Кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные. Предназначены для применения в импульсных высоковольтных модуляторах. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.

• Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и винтом.
• Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
• Тип корпуса: КТ-10.
• Масса транзистора не более 20,0 г.
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 мГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 500 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2,5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (1000В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,5 Ом.

Оставьте свой отзыв о товаре:

Имя:
Тема:
Ваш текст:

Контрольные цифры ^*

Показать другое число

Введите число, которое указано выше.